英诺赛科：带领“中国芯”飞跃地平线

依托8英寸硅基氮化镓量产线平台，英诺赛科不断提升创新动力，强化创新思想，汇聚创新人才，抢占行业竞争制高点，由高速增长向高质量发展加速转型。

近年来，英诺赛科出货量及营收稳居行业第一，截至2023年12月，累计出货量突破5亿颗。

在汽车领域，英诺赛科研发了全球首款用于车载激光雷达的氮化镓芯片，从工业级应用进军到车规级应用，该芯片已在头部车企的激光雷达中实现量产，并成功进入终端市场。

英诺赛科（苏州）全球研发中心于2021年开始建设，总投资超过3亿元，建筑面积3万多平方米，致力于打造一个国际领先技术水平的技术及产品研发平台，通过不断开发新技术、新产品，推动英诺赛科不断迈向更高水平的发展。

英诺赛科（苏州）全球研发中心已成为长三角一体化示范区第三代半导体产业发展的标志性建筑。以晶圆为图腾，飞架半导体材料与终端应用的上下游，英诺赛科研发大楼正以旭日冉冉新生之姿，托举芯片行业飞跃地平线，进入全新的产业周期。

落户汾湖以来，英诺赛科已经在氮化镓芯片的研发、设计、制造和市场应用开发方面持续取得突破，迅速成长为全球生产规模最大、出货量最多的氮化镓公司。英诺赛科作为氮化镓行业应用的引领者，公司始终坚持科技创新，不断开发出革命性的新产品。新的一年，公司将持续在消费电子、数据与计算、新能源、智能汽车、工业与家电等领域，提高节能、高效的氮化镓产品的市场渗透率，推动氮化镓行业的发展。

2024年，英诺赛科将继续坚持科技创新、研发先行的发展思路，发挥“链主”企业作用，持续加大研发投入，在科研攻关、市场攻关上发力，强化国内外设计及销售支持，为公司氮化镓产品的持续更新迭代提供平台，助力公司成为全球功率半导体领域的领先企业，为汾湖产业高质量发展、为中国第三代半导体产业高质量发展贡献一份力量。

来源：汾湖发布