相隔40Gb/100gb规范制定6年后,2016年100gb的交换器技术逐渐成熟,需求开始起飞,预期2016年起100gb技术在接取埠支出金额将大幅成长。同时硅光技术可望成为从In-Rack到Across Data center不同距离连结之带宽欲达到100gb/s的必备技术。
我们看好台湾2016年数据中心高速交换器需求起飞的趋势,同时,我们亦看好硅光通讯模块与白牌服务器将出现畅旺的需求。根据思科最新发布的思科全球云端指数(Cisco Global Cloud Index 2013-2018)预测,整体流量年复合成长率(CAGR)涨幅为23%,流量从2013全年3.1ZB(zettabytes)成长至2018全年为8.6ZB,成长近3倍。
为满足大量数据传输,电子讯号传输速度演进约每3年倍增,国际电机电子工程师学会(IEEE)在1998年、2002年及2010年分别制定以太网络标准规范1Gb、10Gb、40Gb/100gb架构后(2015年10Gb交换器渗透率已达约37%),我们认为相隔40Gb/100gb规范制定6年后,2016年100gb的交换器技术已逐渐成熟,需求将开始起飞,同时新一代400gb的标准规范将于2016年底发布。
虽2015年全球市场10Gb网络接取端口技术需求仍是主流,但预期2016年起100gb技术在接取埠支出金额将可大幅成长,IHS预估2015至2019年全球100gb接取埠产值CAGR将达27%。
此结果印证近期交换器ODM厂商放量时程,同时也符合脸书等因特网服务提供商近期纷纷宣布建立100gb传输的数据中心。硅光技术可望成为100gb/s的必备解决方案。我们认为硅光技术可望成为从In-Rack到Across Data center不同距离连结之带宽欲达到100gb/s的必备技术。据英特尔估计,硅光技术应用于连接数据中心的潜在市场规模将由2016年不到10亿美元增至2020年超过40亿美元。假设磊晶圆占数据中心硅光应用总营收的3~5%,则InP磊芯片的潜在市场规模可望由2016年的不到2,000万美元扩张至2020年逾1亿2,000万美元。
硅光使用晶圆级技术并透过互补金属氧化半导体(CMOS)、微机电系统(MEMS)和3D堆栈等know-how整合光学组件与硅电路,包括雷射、接收器(receiver)、导波管(waveguide)、调变器(modulator)、多任务器/解多任务器(Mux/DeMux)、集成电路和被动组件。随着数据中心转为采用高性能运算(HPC)设计,服务器与服务器之间的传输越发依赖虚拟化技术,带动传输频率大幅上升。硅光技术可使服务器的连接能不再受限并改善吞吐量,尤其在数据中心传输速率达100gb/s时。硅光不仅会用于数据中心间的传输,另也用于In-rack。