美国拟对华禁售128层以上NAND Flash制造设备

继日前传出美国已对华禁售14nm及以下先进制程所需设备的消息之后，据路透社当地时间8月1日报道称，据四位知情人士透露，美国正考虑限制向中国存储芯片制造商出口美国的芯片制造设备。至于，限制的对象，其中就包括长存（Y M T C），美国希望借此来限制中国的半导体产业发展，并保护美国的相关企业。

报导引用不愿透露姓名消息人士的说法指出，如果美国政府确定采取该项计划，还可能损害韩国存储大厂三星电子和SK 海力士两家公司的利益。因为三星在中国拥有两家大型的NAND Flash工厂，而SK 海力士之前也完成收购英特尔旗下在中国的NAND Flash制造业务。因此，一旦美国的限制计划获得批准，则限制范围将扩大到包括禁止将美国芯片制造设备运往在中国大陆境内的NAND Flash工厂。

报导指出，出口管制相关专家表示，该项计划将是美国首次通过出口管制来针对中国生产没有专门军事用途的存储芯片。另外，因为当前美国的存储芯的企业仅剩下西部数据与美光科技(Micron) 两家公司，虽然这两家存储芯片厂商合计约占全球NAND Flash市场的份额超过25%，但是西部数据在美国本土没有NAND Flash产能，美光在美国本土也只有部分产能，所以限制计划也代表了更广泛的美国国家安全意义。

另外两名消息人士则表示，根据正在研拟的计划，美国将禁止向中国出口用于制造128 层堆叠以上NAND Flash闪存芯片设备。而目前生产该类芯片设备的美国大厂，就包括应用材料( Applied Materials)和泛林集团(LAM Research) 等厂商。

对此，消息来源指出，目前针对相关计划正在讨论阶段，还没有任何的法案起草程序。而美国商务部也不愿评论相关新闻消息，仅指出美国政府的重点是削弱中国制造先进半导体的能力，以应对美国的重大国家安全风险。

至于，泛林集团、SK 海力士和美光也拒绝就美国政策发表评论。三星、应用材料、长存、以及西部数据则还没有对相关消息做出回应。

报导强调，成立于2016 年的长存是NAND Flash闪存制造领域的后起之秀。资料也显示，长存早已成功量产128层NAND Flash，并正在积极的研发232层NAND Flash，有传闻称最快可能今年年底量产。

美国政府在2021年6月的一份报告中所指出，包括美光和西部数据正面临长存产品的低价竞争压力，代表着长存的扩张和低价产品对美光和西部数据构成直接威胁。报告强调长存描述为中国NAND Flash闪存芯片制造龙头，而且获得了约240 亿美元的政府补贴。

另外，美国商务部还指出，长存当前已经在接受美国商务部调查，原因是怀疑该公司向中国为出售记忆体产品是否违反了美国出口管制规定。而根据市场咨询与调查机构Yole Intelligence 的资料显示，长存约占全球NAND Flash闪存产量的5%，较一年前几乎翻倍成长。另外，西部数据约占13%，美光科技占比约11%。因此，未来一但美国禁止出口生产128 层堆叠以上NAND Flash闪存芯片的生产设备给长存，长存可能将因此而受困，未来很难有再向前发展的道路。

Yole 资料还进一步显示，2022年中国NAND Flash闪存芯片的产量（含三星、SK海力士等在大陆产量），将从2019 年占全球产能不到14%，成长到2022 年的23% 以上，而同期美国的产量则从2.3%，下降至1.6%。而且，美国公司NAND Flash闪存芯片绝大部分的生产都是在海外完成的。

编辑：芯智讯-浪客剑