英诺赛科：多领域实现突破性创新

在胡润研究院发布的《2024全球独角兽榜》中，英诺赛科（苏州）科技股份有限公司（以下简称英诺赛科）排名全球第320位。这已是英诺赛科连续第三年入选。

从2018年开工建设，到2021年大规模量产，再到2023年全球研发中心投用、出货量突破5亿颗，英诺赛科紧抓长三角一体化发展国家战略机遇，在先行启动区汾湖这片热土上“加速奔跑”，不仅创下了多项全球第一，更成为第三代半导体的引领者。

依托强大的自主研发能力，英诺赛科以科技创新赋能新质生产力，成为示范区在新兴经济领域的旗帜和标杆，创下多个“第一”。

2017年，英诺赛科（苏州）科技股份有限公司正式落户汾湖。2018年，一期项目开工建设。在成立之初，英诺赛科就把科技自立自强作为发展战略支撑，致力于第三代半导体硅基氮化镓外延及器件研发与制造，成为国内第一个通过国家发改委窗口指导的第三代半导体项目。

2021年6月，英诺赛科8英寸硅基氮化镓生产线启动大规模量产，这是全球（首条）最大的8英寸硅基氮化镓量产线。基于此，英诺赛科自主研发和量产了30V-650V的高、中、低压氮化镓芯片，产品设计及性能均达到国际先进水平。

与国际竞争对手相比，英诺赛科的产品线最齐全，是全球唯一同时实现高、低压氮化镓功率器件量产的企业，也是世界上首家引进ASML光刻机进行量产的第三代半导体企业。

在自主研发技术和全球领先量产线的支撑下，近年来，英诺赛科出货量及营收稳居行业第一，截至2023年12月，累计出货量突破5亿颗，成为全球生产规模最大、出货量最多的氮化镓公司。英诺赛科还连续3年上榜“中国芯”优秀技术创新产品，入选“第三代半导体年度中国领军企业”“中国GaN十强企业”等。

落户苏州市吴江区汾湖以来，英诺赛科一直致力于推动氮化镓器件在各行业的应用。公司目前已与国内外头部企业开展深入合作，在多应用领域实现突破性创新，首创性推出了高效、节能的氮化镓产品，实现了对传统硅器件的替代。

在消费电子领域，英诺赛科持续发力，从原来的PD快充，拓展到适配器、墙面插座、手机以及笔记本电脑等。

在光伏与储能领域，英诺赛科取得明显的市场进展。采用英诺赛科150V GaN打造的2kW微逆，相比传统Si方案，损耗减小20%以上，进一步缩小体积、提高系统效率，实现了产品的高安全性、高发电效率、高可靠性和灵活性。

在工业领域，LED国际知名厂商采用英诺赛科高压氮化镓对产品进行了创新升级。与传统LED电源相比，采用InnoGaN的LED在相同尺寸内输出功率大幅提高，做到极致纤薄，并且降低发热，提升了LED产品寿命。

在汽车领域，英诺赛科研发了全球首款用于车载激光雷达的氮化镓芯片，从工业级应用进军到车规级应用，该芯片已在头部车企的激光雷达中实现量产，并成功进入终端市场。

2023年11月，英诺赛科（苏州）全球研发中心正式启用。该研发中心总投资超过3亿元，建筑面积3万多平方米，致力于打造一个国际领先技术水平的技术及产品研发平台，通过不断开发新技术、新产品，推动英诺赛科不断迈向更高水平的发展。

英诺赛科（苏州）科技股份有限公司董事长骆薇薇表示，对英诺赛科来说，研发中心并不是一栋普通的大楼，它承载了英诺赛科创业的初心，凝聚了英诺赛科人一路走来的坚定，它的启用时刻正是所有英诺赛科人心中梦想的绽放时刻。

全球研发中心的投用，让英诺赛科插上了创新腾飞的翅膀。不仅有助于英诺赛科在全球引进氮化镓行业的专业优秀人才，还能为氮化镓产品的持续更新迭代提供平台，进一步缩短产品研发周期，加快产品迭代速度，进而开拓产品市场占有率，助力英诺赛科成为全球功率半导体领域的领先企业。

以晶圆为图腾，飞架半导体材料与终端应用的上下游，英诺赛科研发大楼正以旭日冉冉新生之姿，托举芯片行业飞跃地平线，进入全新的产业周期。

未来，英诺赛科将继续坚持科技创新、研发先行的发展思路，发挥“链主”企业作用，持续加大研发投入，在科研攻关、市场攻关上发力，持续更新迭代氮化镓产品，强化国内外设计及销售支持，助力企业成为全球功率半导体领域的领先企业，为汾湖产业高质量发展、为中国第三代半导体产业高质量发展贡献一份力量。

来源：时代苏商